粉体原子层沉积设备 PALD的优势

1、沉积工艺精度高。ALD沉积为单原子沉积,且沉积具有自限性(self-limiting),沉积精度可达1A(0.1nm)，远高于普通CVD的沉积精度。

2、沉积层厚度可调。ALD沉积层厚度可通过原子沉积层数任意调整,具有高度可控性。

3、满足高深宽比材料。对于表面不规则的材料,传统CVD工艺易产生“空洞”,造成沉积不均匀;ALD沉积层为单原子层,可均匀覆盖高深宽比(Depth-Width Ratio,D/W)材料的表层。

4、粉体材料的超均匀包覆。凭借独特设计的流化床(Fluidized Bed),粉体材料在反应器内形成流化态，并与沉积气体充分反应，实现超均匀包覆，具有高度各向同性。

5、沉积物质种类多。目前可沉积的化学物质包括氧化铝、二氧化硅、二氧化钦、碳化硅等物质。

6、反应温度低。ALD工艺的沉积温度通常低于300°C可适用于热敏性材料或不耐高温的材料(如高镍三元正极材料)。

7、高纯度沉积物。ALD工艺沉积在中高真空(<1 Torr)与高纯沉积气和载气之间切换,无杂质引入。

8、自动化控制程度高。设备通过PLC编程控制，结合高精度的自动进料系统和检测系统，实现高程度自动化，减少操作人员误差。