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尽管硅基负极展现出令人瞩目的性能优势,其产业化进程仍面临多重技术壁垒,如:
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体积膨胀效应:硅材料在充放电过程中体积膨胀率高达300%,导致颗粒粉化、活性物质脱落及电极结构崩塌7;
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界面稳定性难题:反复体积变化引发固体电解质界面膜(SEI膜)持续生长增厚,造成锂离子不可逆损耗与导电性衰退7;
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导电性缺陷:硅本征导电性差,制约了高倍率性能的实现7;
此次大会纽姆特的明星产品:流化床气相沉积反应器FB-CVD专对硅碳材料制备提供更为优质的选择;且为粉体材料表面处理、包覆、沉积、活化等工艺设备提供解决方案。
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